8N60制造商 8N60MOS管价格 8N60MOS管批发/采购-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-01-14
kia8n60是一种高电压MOSFET和设计有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有较高的坚固雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于高速开关电源，PWM电机，控制器，高效率的DC至DC转换器和桥电路。
系列名称：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：147
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（连续）（id）：7.5
静态漏源电阻R DS(ON)，Yyp：0.98
总功耗（Tc）：25℃
热阻（RthCS）：05
热阻结温（RthJC）：0.85
通态电阻（Rds），Typ：0.98
上升时间（tr）：VDD=300V,R G =25Ω,ID =7.5A(note4,5)
最高结温（Tj），℃：150
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8N60（7.5A，600V） |
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产品编号 |
KIA8N60/F/ HF/HI/P/PF |
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产品工艺 |
8N60该产品具有较低的导通电阻，优越的开关性能很高的雪崩、击穿耐量 |
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特征 |
1.超低栅极电荷（典型的29nc） 2.快速切换的能力 3.雪崩能量测试 4.提升的dt／dt能力 |
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适用范围 |
该产品适用于高速开关电源，PWM电机控制，高效率的DC至DC转换器和桥电路。 |
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封装形式 |
TO-220、TO-220F等 |
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