13N50现货供应商 KIA13N50 PDF 13N50参数详细资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-19
产品编号：KIA13N50
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作温度：±150℃
击穿电压温度：0.5/℃
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升时间：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的45nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
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13N50（13A 500V） |
| 产品编号 | KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH |
| 沟道 | MOSFET N沟道 |
| 封装形式 | TO-220、TO220F、TO-263 |
| 产品工艺 |
13N50 N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型的45nc） 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器 |
| PDF文件 |
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| 厂家 | KIA 原厂家 |
| LOGO |
 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总5页数 |
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