20N50现货供应商 KIA20N50 PDF 20N50参数详细资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-19
KIA20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正。
产品型号：KIA 20N50
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作温度：+150/℃
击穿电压温度：0.5V/℃
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升时间：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封装形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
Lowgate charge ( typical 70nC)
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
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20N50（20A 500V） |
| 产品编号 | KIA20N50/C/HF/HH/HM |
| 产品工艺 |
kia20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正。 |
| 沟道 | N沟道MOSFET |
| 特征 |
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正 |
| 封装形式 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| LOGO |
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| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总5页数 |
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