KIA5610参数

KIA5610性能最高的N沟道MOSFET沟道的极端高密度，它提供了大部分的同步降压转换器应用优良的导通电阻和栅极电荷。KIA5610符合ROHS环保和绿色产品的要求，100% EAS功能完全保证可靠性的批准。

KIA5610特征

RDS（ON=310mΩ@VGS=10v

先进的高密度沟槽技术

超低栅电荷

优良的CDV / dt效应desline

绿色的可用设备

KIA5610应用

高频点同步降压变换器

网络化DC-DC电源系统

负荷开关

产品型号：KIA5610

工作方式：5.4A/100V

漏源电压：100V

栅源电压：±20V

漏电流连续：5.4A

脉冲漏极电流：11A

耗散功率：20.8W

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：100V

温度系数：0.0672/℃

栅极阈值电压：1.0V

输入电容：508 PF

输出电容：29 PF

上升时间：30.6 ns

封装形式：TO-251

	KIA5610（5.4A/100V）
产品编号	KIA5610/B/BU
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	kia5610性能最高的N沟道MOSFET沟道的极端高密度，它提供了大部分的同步降压转换器应用优良的导通电阻和栅极电荷。的kia5610符合ROHS环保和绿色产品的要求，100% EAS功能完全保证可靠性的批准。
产品特征	RDS（ON=310mΩ@VGS=10v 先进的高密度沟槽技术超低栅电荷优良的CDV / dt效应desline 绿色的可用设备
适用范围	适用于高频点同步降压变换器网络化DC-DC电源系统负荷开关
封装形式	TO-251
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.47572.cn
PDF总页数	总5页