4N60mos管现货供应商 KIA4N60 4A/600V参数 PDF文件下载-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-03-21
KIA4N60HN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序
RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的13.5nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA4N60
工作方式：4A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：4.0A
脉冲漏极电流：16A
雪崩电流：9.3mJ
雪崩能量：180mJ
耗散功率：93W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：600V
温度系数：0.6V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：500PF
输出电容：45PF
上升时间：32ns
封装形式：TO-251、252、220、220F、262
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KIA4N60 |
| 产品编号 | KIA4N60 4A/600V |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的13.5nc） 高耐用性 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
适用功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序等 |
| 封装形式 | TO-251、252、220、220F、262 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.kiaic.com |
| PDF页总数 | 总6页 |
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