KIA10N65参数

KIA10N65 N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计用于高压、高速功率开关应用，如高效率开关电源用品，有源功率因数校正电子镇流器基于半桥拓扑。

KIA10N65特征

RDS(on) =0.65? @ V GS =10V

低栅极电荷（典型的48nc）

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA10N65

工作方式：10A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

漏电流连续：10A

脉冲漏极电流：40A

雪崩能量：709mJ

耗散功率：52W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：1650 PF

输出电容：1665 PF

上升时间：70 ns

封装形式：TO-220F

	KIA10N65（10A 650V）
产品编号	KIA10N65/HF/HP
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	KIA10N65 N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计用于高压、高速功率开关应用，如高效率开关电源用品，有源功率因数校正电子镇流器基于半桥拓扑。
产品特征	RDS(on) =0.65? @ V GS =10V 低栅极电荷（典型的48nc）快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	适用于高压、高速功率开关应用，如高效率开关电源用品，有源功率因数校正电子镇流器基于半桥拓扑。
封装形式	TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.47572.cn
PDF页总数	总5页