KIA9N90参数

N沟道增强型功率场效应晶体管是使用半导体专有的，平面条形DMOS技术，这种先进的技术已特别量身定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的开关性能，并承受高雪崩和换相模式下的能量脉冲。这些设备非常适合高效率。开关电源，有源功率因数校正，半桥式电子镇流器拓扑。

特点

9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V

低栅电荷（典型的70数控）

Low Crss（典型的14pf）

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt／dt能力

符合RoHS

产品型号：KIA9N90

工作方式：9A/900V

漏源电压：900V

栅源电压：±30V

漏电流连续：9.0A

脉冲漏极电流：36A

雪崩能量：900mJ

耗散功率：280W

热电阻：40℃/W

漏源击穿电压：900V

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：2780 PF

输出电容：228 PF

上升时间：130 ns

封装形式：TO-3P、TO-247

	KIA9N90（9A/900V）
产品编号	KIA9N90/HF/Hm/SF
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	N沟道增强型功率场效应晶体管是使用半导体专有的，平面条形DMOS技术，这种先进的技术已特别量身定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的开关性能，并承受高雪崩和换相模式下的能量脉冲。
产品特性	9a，900V，RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V 低栅电荷（典型的70数控） Low Crss（典型的14pf）快速切换 100%雪崩测试改进的dt／dt能力符合RoHS
适用范围	主要适用于高效率。开关电源，有源功率因数校正，半桥式电子镇流器拓扑
封装形式	TO-3P、TO-247
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA 原厂家
网址	www.47572.cn
PDF页数	总7页