KIA7N65参数

功率MOSFET是用起亚半先进的平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越性。开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正/基于半桥拓扑。

KIA7N65特征

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低栅极电荷（典型的29nc）

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA7N65

工作方式：7A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

漏电流连续：7.0A

脉冲漏极电流：28A

雪崩能量：230mJ

耗散功率：147W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：1000 PF

输出电容：110 PF

上升时间：50 ns

封装形式：TO-220、TO-220F、TO-263

	KIA7N65（7A/650V）
产品编号	KIA7N65/HB/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET是用起亚半先进的平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越性。开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正/基于半桥拓扑。
产品特征	RDS(on) =1.2@? VGS=10V 低栅极电荷（典型的29nc）高耐用性快速切换 100%雪崩测试改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正/基于半桥拓扑。
封装形式	TO-220、TO-220F、TO-263
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.47572.cn
PDF总页数	总5页