4N65H现货供应商 KIA4N65H PDF文件 4N65H参数资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-23
开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正、基于半桥拓扑。
特征：
RDS(on) =2.5?@ VGS=10V
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
参数：
产品型号：KIA4N65H
极性：N沟道MOSFET
漏源电压(vdss):650V
栅源电压（vgss)：±30V
连续漏电流：（ld）：3.0A
脉冲漏极电流：12A
雪崩电流：210mJ
雪崩能量：5.8mJ
耗散功率（pd）：58W
热电阻：110℃/W
漏源击穿电压：650V
温度系数：0.65V/℃
栅极阈值电压（min）：100nA
 |
4N65H（4A 650V） |
| 产品编号 | KIA4N65/H/HD/HF/HU |
| FET极性 | N沟道 |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对的阻力，提供优越的。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =2.5??@ V GS =10V 低栅极电荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切换 100%雪崩测试 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正、基于半桥拓扑。 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总5页数 |
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