7N80现货供应商 KIA7N80 7A/800V KIA7N80 PDF文件下载 -KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-30
KIA7N80参数
功率MOSFET采用SL半平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。
开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。器件非常适合高效率开关模式电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑。
KIA7N80特征
RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V
低栅极电荷（典型的27nc）
高耐用性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA7N80
工作方式：7A/800V
漏源电压：800V
栅源电压：±30V
漏电流连续：7.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：167W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：800V
温度系数：1V/℃
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：1300 PF
输出电容：120 PF
上升时间：100 ns
封装形式：TO-220、TO-220F
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KIA7N80（7A/800V） |
| 产品编号 | KIA7N80/HF |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采用SL半平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 |
| 产品特征 |
RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典型的27nc） 高耐用性 快速切换 100%雪崩测试 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高效率开关模式电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑 |
| 封装形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF页总数 | 总6页 |
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