1N60H mos管现货 KIA1N60H 1A/600V PDF文件下载-KIA mos管
信息来源：本站 日期：2018-03-24
KIA1N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。
1A, 600V, RDS(on) = 9.3? @VGS = 10V
低栅极电荷（典型的5.0nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA1N60H
工作方式：1A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：1.0A
脉冲漏极电流：4.0A
雪崩电流：2.8A
雪崩能量：33mJ
耗散功率：28W
热电阻：50℃/V
漏源击穿电压：600V
温度系数：6.6V/℃
栅极阈值电压：2.2V
输入电容：120PF
输出电容：20PF
上升时间：21ns
封装形式：TO-92、251、252
|
|
KIA1N60H |
|
产品编号 |
KIA1N60H 1A/600V |
|
产品特征 |
1A, 600V, R DS(on) = 9.3? @VGS = 10V 低栅极电荷（典型的5.0nc） 高耐用性 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
|
适用范围 |
适用于高速功率开关应用，如开关稳压器，开关，转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。 |
|
封装形式 |
TO-92、251、252 |
|
PDF文件 |
|
|
LOGO |
|
|
厂家 |
KIA（可易亚） |
|
网址 |
|
|
PDF总页数 |
总3页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”
长按二维码识别关注
