12N60现货供应商 KIA12N60 PDF 12N60参数详细资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-18
KIA12n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
2、特征
RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V
低栅极电荷（典型的52nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
3、产品参数
漏极至源极电压（VDSS）：600
栅源电压（VGSS）：±30
漏极电流 （连续）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A
耗散功率（PD）：231
工作温度：±150
击穿电压温度：0.7
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升时间：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω
4、KIA12N60H产品规格
 |
KIA12N50（12A 60V） |
| 产品编号 |
KIA12N60/F/HF/HP |
| 产品工艺 |
kia12n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V 低栅极电荷（典型的52nc） 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器 |
| 封装形式 | TO-220、Yo-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总7页 |
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