2N60现货供应商 KIA2N60中文资料 PDF文件 2N60参数资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-27
KIA2N60参数
KIA2N60 N沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。
KIA2N60特征
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型9NC）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA2N60
工作方式：2A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30V
漏电流连续：2.0*A
脉冲漏极电流：8*A
雪崩能量：12mJ
耗散功率：44W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：600V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：200 PF
输出电容：20 PF
上升时间：25 ns
封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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KIA2N60（2A/600V） |
| 产品编号 | KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
kia2n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计高压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型9NC） 高耐用性 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF页数 | 总6页数 |
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