6N70原厂供应商 KIA6N70 PDF下载 6N70参数配置对比-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-26
特征
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA6N70
工作方式：5.8A/700V
漏源电压：700V
栅源电压：±30V
漏电流连续：5.8*A
脉冲漏极电流：150mJ
雪崩能量：4.8A
耗散功率：95W
热电阻：110℃/W
漏源击穿电压：700V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：650 PF
输出电容：95 PF
上升时间：40 ns
封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F
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KIA6N70（5.8A 700V） |
| 产品编号 | KIA6N70/HD/HF/HU/SU |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的?？匦阅?，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切换 100%雪崩测试 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正?；诎肭磐仄?。 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总5页数 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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