6N65供应商-IA6N65HD 5.5A/650V-KIA6N65 PDF文件下载-KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-01-26
特点
RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA6N65HD
工作方式：5.5A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流连续：5.5*A
脉冲漏极电流：16.0A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：80W
热电阻：50*（110）℃/W
漏源击穿电压：650V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：620 PF
输出电容：65 PF
上升时间：45 ns
封装形式：TO-252
 |
KIA6N65（5.5A/650V） |
| 产品编号 | KIA6N65/HD |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
KIA 6N65HDN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序 |
| 封装形式 | TO-252 |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF页总数 | 总5页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”
长按二维码识别关注
