KIA16N50参数指标

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的开关。性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。

KIA16N50特征

RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷（典型的45nc）

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

KIA16N50应用

高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。

参数指标

产品型号：KIA16N50

工作方式：16A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

漏电流连续：16*A

雪崩能量：853mJ

功率耗损：38.5W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：38.5V

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：2200 PF

输出电容：350 PF

上升时间：170 ns

封装形式：TO-220F、TO-3P、TO-247

	KIA16N50（16A 500V）
产品编号	KIA16N50HF/HH/HM
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的开关。性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。
产品特征	RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的45nc）快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
封装形式	TO-220F、TO-3P、TO-247
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.47572.cn
PDF页总数	总6页