KIA原厂家mos管 KIA6035A 11A /350V N沟道 PDF文件下载-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-03-13
这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越性。
开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA6035A
工作方式：11A/350V
漏源电压：350V
栅源电压：±20V
漏电流连续：11A
脉冲漏极电流:9.0A
雪崩能量：423mJ
耗散功率：99W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：350V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：844PF
输出电容：162PF
上升时间：23.5ns
封装形式：TO-252、TO-220
4、KIA6035A产品规格
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KIA6035A |
| 产品编号 | KIA6035A 11A/350V |
| 产品工艺 |
这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越性。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的15nc） 高耐用性 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
适合于最小化状态电阻，高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。 |
| 封装形式 | TO-252、TO-220 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总5页 |
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