6N65参数

KIA 6N65HDN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。

特点

RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v

低栅极电荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA6N65HD

工作方式：5.5A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

漏电流连续：5.5*A

脉冲漏极电流：16.0A

雪崩能量：300mJ

耗散功率：80W

热电阻：50*（110）℃/W

漏源击穿电压：650V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：620 PF

输出电容：65 PF

上升时间：45 ns

封装形式：TO-252

	KIA6N65（5.5A/650V）
产品编号	KIA6N65/HD
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	KIA 6N65HDN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。
产品特征	RDS（ON）= 1.9?@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型的16nc）高耐用性快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序
封装形式	TO-252
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LOGO
厂家	KIA 原厂家
网址	www.47572.cn
PDF页总数	总5页