28N50现货供应商 KIA28N50-28A500V PDF文件 4360参数详细资料-KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-02-09
这是功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。
KIA28N50特征
RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的102nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
KIA28N50参数
产品型号：KIA28N50
工作方式：28A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连续：28A
脉冲漏极电流：112A
雪崩能量：1960mJ
耗散功率：479W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：4085 PF
输出电容：474 PF
上升时间：87ns
封装形式：TO-3P
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KIA28N50 |
| 产品编号 | KIA28N50（28A500V） |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的102nc） 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑 |
| 封装形式 | TO-3P |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总5页 |
联系方式：邹先生
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