KIA20N50现货供应商 KIA20N50 PDF文件 20A500V参数详细资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-02-09
KIA20N50特征
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低栅极电荷（典型的70nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
KIA20N50参数
产品型号：KIA20N50
工作方式：20A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连续：13A
脉冲漏极电流：80A
雪崩能量：110mJ
耗散功率：41.5W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
温度系数：0.5V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2700 PF
输出电容：400 PF
上升时间：400 ns
封装形式：TO-247、TO-220F、TO-3P
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KIA20N50/HF/HH/HM |
| 产品编号 | KIA20N50（20A 500V） |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品特征 |
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典型的70nc） 快速切换的能力 雪崩能量 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正。 |
| 封装形式 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | |
| PDF总页数 | 总5页 |
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