KIA28N50参数指标

这是功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。

KIA28N50特征

RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷（典型的102nc）

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

KIA28N50参数

产品型号：KIA28N50

工作方式：28A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

漏电流连续：28A

脉冲漏极电流：112A

雪崩能量：1960mJ

耗散功率：479W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：500V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：4085 PF

输出电容：474 PF

上升时间：87ns

封装形式：TO-3P

	KIA28N50
产品编号	KIA28N50（28A500V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。
产品特征	RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的102nc）快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
封装形式	TO-3P
PDF文件	【直接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	www.47572.cn
PDF总页数	总5页