其中L为长度，S为截面积。换算后，电阻的单位是Ω。 某种材料的电阻率在数值上...其中L为长度，S为截面积。换算后，电阻的单位是Ω。 某种材料的电阻率在数值上等于长为1cm，横截面积为1cm2的材料的电阻。 半导体材料的电阻率（E-4~E8）介于金...
很多电子元器件是不允许电源正负极反接的，在设计完成的电路板中，外部接口如果...很多电子元器件是不允许电源正负极反接的，在设计完成的电路板中，外部接口如果没有防反接设计，用户在使用的时候很容易将正负极接错导致器件烧毁造成财产损失。防...
KNE4603A2是高单元密度沟槽双N沟道MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流7A；低导...KNE4603A2是高单元密度沟槽双N沟道MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流7A；低导通电阻RDS(开启) 16mΩ，超低栅极电荷，为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON...
电动车控制器通过PWM脉宽调制来调整输出电压的大小，从而控制电机的转速。在控...电动车控制器通过PWM脉宽调制来调整输出电压的大小，从而控制电机的转速。在控制器满足锁线电压和主回路电压供给整车后，会进行一个开机自检的过程，检查霍尔、相...
双向电平转换电路的核心组件是?NMOS?和?上拉电阻?。双向电平转换电路通过N...双向电平转换电路的核心组件是?NMOS?和?上拉电阻?。双向电平转换电路通过NMOS的导通与截止实现不同电压域信号的双向传输，利用寄生二极管和上拉电阻完成电平匹...
KIA3510AP场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ...KIA3510AP场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；100%单脉冲雪崩能量测试，高效稳定可靠；符合...
