通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以...通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以实现降压功能，也可以实现升压功能。它由两个MOS管和两个二极管组成。
逆变器：通过控制开关器件（如IGBT、MOSFET）的通断，生成脉宽调制（PWM）波形...逆变器：通过控制开关器件（如IGBT、MOSFET）的通断，生成脉宽调制（PWM）波形，合成所需频率和幅值的交流电。其电路复杂度通常高于整流器。
bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启...bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；10...
为了确保无闩锁操作，电路会自动感测器件中的最负电压，并确保N沟道开关源极-基...为了确保无闩锁操作，电路会自动感测器件中的最负电压，并确保N沟道开关源极-基板结不存在正向偏置。振荡器频率的标称频率为10kHz(VCC=5V)，但可以通过向振荡器（...
为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图，在这种...为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图，在这种情况下，如果不是两个FET都打开，那么其中总有一个体二极管可以阻断对向的电流。这...
KNP1906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流230A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2m...KNP1906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流230A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、高雪...
