如图所示，负载接在电源与漏极之间。在其栅极上加一个逻辑高电平，则N-MOSFET导...如图所示，负载接在电源与漏极之间。在其栅极上加一个逻辑高电平，则N-MOSFET导通，负载得电；在其栅极加一个逻辑低电平，则N-MOSFET关断，负载失电。
当开关S1闭合时，继电器的线圈通电，电源+V经过电感L1，向N1 N2（变压器）的中...当开关S1闭合时，继电器的线圈通电，电源+V经过电感L1，向N1 N2（变压器）的中抽头进行供电，此外，电流还会C1和R2（电阻）流向N3、N4的中抽头。
KNB2904A场效应管参数性能优越，具有优异的RDSON和栅极电荷；漏源击穿电压40V，...KNB2904A场效应管参数性能优越，具有优异的RDSON和栅极电荷；漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效...
接通电源后，220V市电电压经VD503～VD506整流、C507滤波，在滤波电容C507两端得...接通电源后，220V市电电压经VD503～VD506整流、C507滤波，在滤波电容C507两端得到近300V直流电压，通过开关变压器T511的3-7绕组加到开关管VT513的集电极。
通过级联多个放大器，每个放大器的增益都比前一个放大器大，从而实现对输入信号...通过级联多个放大器，每个放大器的增益都比前一个放大器大，从而实现对输入信号的放大。每个放大器的输出信号经过滤波和校正后，再输入到下一个放大器进行放大。最...
KCD9310A场效应管采用SGT MOSFET技术制造，漏源击穿电压100V，漏极电流42A；专...KCD9310A场效应管采用SGT MOSFET技术制造，漏源击穿电压100V，漏极电流42A；专有新型平面技术，提供优异的RDSON和栅极电荷；低导通电阻RDS(开启) 15mΩ，超低栅极...
