负载开关电路,MOSFET负载开关,电路原理图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-04-24
如图所示，负载接在电源与漏极之间。在其栅极上加一个逻辑高电平，则N-MOSFET导通，负载得电；在其栅极加一个逻辑低电平，则N-MOSFET关断，负载失电。
可以看出，负载开关接是在电源与负载之间，用逻辑电平来控制通、断，使负载得电或失电的功率器件。由于开关在负载的下边，一般称为低端负载开关。
如果负载是一个要求接地的电路（如功率放大电路、发射电路或接收电路等），则低端负载开关不能用，要采用高端负载开关。
高端负载开关主要由P沟道MOSFET组成，如图所示。
图(a)是由一个P-MOSFET与一个反相器组成的，图(b)是由一个P-MOSFET与一个N-MOSFET组成的。开关在负载的上面，称高端负载开关。
负载开关电路是主要用来控制后级负载的电源开关。可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三极管实现。
电路分析如下图所示：
R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通，MOS管QQ1的VGS<VGSth导通，R5负载上电，关断时负载下电。电路中R3为三极管Q2的限流电阻，R4为偏置电阻，R1R2为Q1的栅极分压电阻，C1C2为输出滤波电容。
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