双mos管电路,负载开关电路-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-04-25
下文分享的是一款具有反向电流保护的共漏极负载开关，共漏双NMOS。
在一些应用中，需要能够阻断两个方向的电流，例如电池驱动应用，其中应防止电池在充电器连接器侧短路等故障情况下放电，或在电气故障导致连接电缆和交流适配器泄露的情况下放电。
更全面的负载开关功能包括反向电压保护、反向电流保护，这些可以用共漏极或共源极配置的MOSFET实现。
阻断反向电流的常见方法是使用二极管。但是使用MOSFET负载开关可以更有效地实现该功能。为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。
如图，在这种情况下，如果不是两个FET都打开，那么其中总有一个体二极管可以阻断对向的电流。这种方法允许创建两种反向驱动保护负载开关的替代拓扑，背靠背连接漏极或源极，称为共漏极或共源极。
反向电流保护共漏双NMOS负载开关
图为共漏极双NMOS高边负载开关，与单NMOS高边负载开关一样，需要有高于Vin的HV_Ctrl驱动。
反向电流保护共漏双PMOS负载开关
图为共漏极双PMOS高边负载开关，与单PMOS高边负载开关一样，Ctrl端需要可以达到接近等于或高于Vin的电平，若不能直接施加，则需要增加一个三极管或者MOS管驱动G极。
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