bms mos,40v130a参数 低内阻,KND2904A场效应管-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-04-25
bms专用mos管KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，广泛用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域，封装形式：TO-252，体积小，方便安装。
漏源电压：40V
漏极电流：130A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：400A
雪崩能量单脉冲：250MJ
总功耗：130W
阈值电压：1.5V
总栅极电荷：135nC
输入电容：6260PF
输出电容：570PF
反向传输电容：580PF
开通延迟时间：18nS
关断延迟时间：50nS
上升时间：20ns
下降时间：16ns
联系方式：邹先生
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