Vo输出电压增大→TL431参考极电压增大→TL431阴极与阳极压降降低、电流增大→光...Vo输出电压增大→TL431参考极电压增大→TL431阴极与阳极压降降低、电流增大→光耦初级电流增大→光耦次级电流增大→FB脚电压升高→电源管理芯片降低MOS管的占空比...
由两个555构成两个时钟电路，由模十六计数器和组合逻辑门构成四种码产生电路，...由两个555构成两个时钟电路，由模十六计数器和组合逻辑门构成四种码产生电路，由双D触发器和数据选择器构成开关电路，由移位寄存器和八个彩灯构成输出电路，一个时...
KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5A，低导通电阻RDS(on)=40...KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5A，低导通电阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；-5V逻辑电平控制、符合RoHS，高效稳定可靠...
N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底，然后在衬底上制作两...N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底，然后在衬底上制作两个高浓度的N +区作为源极和漏极。随后，在源极和漏极之间的绝缘层上制作金属层作为栅...
MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容...MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容。它作为MOS管的关键参数，对管子的动态功耗、响应速度等特性有着决定性影响，
KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低栅极电荷、开关速度快，高效可靠；100%雪崩测试...
