随着MOSFET尺寸的缩小，特别是沟道长度的缩短，短沟道效应变得显著。这种效应包...随着MOSFET尺寸的缩小，特别是沟道长度的缩短，短沟道效应变得显著。这种效应包括直接隧穿、热载流子注入等，它们会改变沟道中的电荷分布和电场分布，进而影响阈值...
锂电池保护板专用MOS管KCB3008A漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的S...锂电池保护板专用MOS管KCB3008A漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的...
DC-DC转换器利用电容和电感的储能特性，通过可控开关（如MOSFET）进行高频开关...DC-DC转换器利用电容和电感的储能特性，通过可控开关（如MOSFET）进行高频开关动作，将输入的电能储存在电容（或电感）中，当开关断开时，电能再释放给负载，提供...
电阻的符号是R，这是物理学中用于表示电阻器或电阻值的标准符号。电阻是导体对...电阻的符号是R，这是物理学中用于表示电阻器或电阻值的标准符号。电阻是导体对电流阻碍作用的物理量，其国际单位是欧姆，符号为Ω。
KNH9130B场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，低导...KNH9130B场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(开启) 0.12Ω；具有低栅极电荷、快速恢复体二极管等特性，能够在短时间内...
