KIA3510AP场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ...KIA3510AP场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；100%单脉冲雪崩能量测试，高效稳定可靠；符合...
Vo输出电压增大→TL431参考极电压增大→TL431阴极与阳极压降降低、电流增大→光...Vo输出电压增大→TL431参考极电压增大→TL431阴极与阳极压降降低、电流增大→光耦初级电流增大→光耦次级电流增大→FB脚电压升高→电源管理芯片降低MOS管的占空比...
由两个555构成两个时钟电路，由模十六计数器和组合逻辑门构成四种码产生电路，...由两个555构成两个时钟电路，由模十六计数器和组合逻辑门构成四种码产生电路，由双D触发器和数据选择器构成开关电路，由移位寄存器和八个彩灯构成输出电路，一个时...
KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5A，低导通电阻RDS(on)=40...KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5A，低导通电阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；-5V逻辑电平控制、符合RoHS，高效稳定可靠...
N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底，然后在衬底上制作两...N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底，然后在衬底上制作两个高浓度的N +区作为源极和漏极。随后，在源极和漏极之间的绝缘层上制作金属层作为栅...
