KNB2904A场效应管参数性能优越，具有优异的RDSON和栅极电荷；漏源击穿电压40V，...KNB2904A场效应管参数性能优越，具有优异的RDSON和栅极电荷；漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效...
接通电源后，220V市电电压经VD503～VD506整流、C507滤波，在滤波电容C507两端得...接通电源后，220V市电电压经VD503～VD506整流、C507滤波，在滤波电容C507两端得到近300V直流电压，通过开关变压器T511的3-7绕组加到开关管VT513的集电极。
通过级联多个放大器，每个放大器的增益都比前一个放大器大，从而实现对输入信号...通过级联多个放大器，每个放大器的增益都比前一个放大器大，从而实现对输入信号的放大。每个放大器的输出信号经过滤波和校正后，再输入到下一个放大器进行放大。最...
KCD9310A场效应管采用SGT MOSFET技术制造，漏源击穿电压100V，漏极电流42A；专...KCD9310A场效应管采用SGT MOSFET技术制造，漏源击穿电压100V，漏极电流42A；专有新型平面技术，提供优异的RDSON和栅极电荷；低导通电阻RDS(开启) 15mΩ，超低栅极...
从上图中可以看出，补偿变压器低压侧的线圈串联在稳压器的主回路中，所以这种稳...从上图中可以看出，补偿变压器低压侧的线圈串联在稳压器的主回路中，所以这种稳压器输出的能量主要是通过补偿变压器的低压侧线圈直接给输出负载的，只要把补偿变压...
