输入过压保护主要针对的是雷击或市电冲击产生的浪涌。当DC电压通过“+48V、GNG...输入过压保护主要针对的是雷击或市电冲击产生的浪涌。当DC电压通过“+48V、GNG”两端进入电路，并经过R1电阻进行限流时，若后续线路发生短路，R1的电流会增大，进...
KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺，??漏源击穿电压200V，漏极电流130A；新...KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺，??漏源击穿电压200V，漏极电流130A；新型沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，最小化开...
通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以...通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以实现降压功能，也可以实现升压功能。它由两个MOS管和两个二极管组成。
逆变器：通过控制开关器件（如IGBT、MOSFET）的通断，生成脉宽调制（PWM）波形...逆变器：通过控制开关器件（如IGBT、MOSFET）的通断，生成脉宽调制（PWM）波形，合成所需频率和幅值的交流电。其电路复杂度通常高于整流器。
bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启...bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；10...
