MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容...MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容。它作为MOS管的关键参数，对管子的动态功耗、响应速度等特性有着决定性影响，
KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低栅极电荷、开关速度快，高效可靠；100%雪崩测试...
将输入的交流电压通过整流器整流成直流电压，然后通过滤波器将直流电压进行滤波...将输入的交流电压通过整流器整流成直流电压，然后通过滤波器将直流电压进行滤波，以保证输出电流的稳定性和平滑性。接下来，通过驱动器将直流电压转换为适合LED的...
该桥电路由两个P型场效应管Q2和两个N型场效应管Q4组成，因此被称为P-NMOS管H桥...该桥电路由两个P型场效应管Q2和两个N型场效应管Q4组成，因此被称为P-NMOS管H桥。这些场效应管在桥臂上充当开关的角色，其中P型管在栅极电压为低时导通，高时关闭；...
KCX2704A场效应管漏极电流150A，漏源击穿电压为40V；采用LVMOS技术生产，改进的...KCX2704A场效应管漏极电流150A，漏源击穿电压为40V；采用LVMOS技术生产，改进的工艺和单元结构，最小化导通电阻RDS(开启) 1.25mΩ，提供优越的开关性能；低栅极电...
