dcdc转换器,40a300vmos管,KNH9130B参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-04-02
KNH9130B场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(开启) 0.12Ω；具有低栅极电荷、快速恢复体二极管等特性，能够在短时间内完成导通和截止状态的转换，减少开关损耗，提高电源的转换效率；在DC-DC转换器中用于能量转换和电压调节，高效率低损耗，还广泛应用于UPS、DC-AC逆变器、SMPS和电机控制领域，封装形式：TO-3P，稳定可靠。
漏源电压：300V
漏极电流：40A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：160A
雪崩能量单脉冲：1154MJ
总功耗：380W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：105nC
输入电容：2830PF
输出电容：280PF
反向传输电容：85PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：55nS
上升时间：15ns
下降时间：18ns
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
