KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流2...KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，RDS（开启）=25m?@VDS=60V，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及100%E...
KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流190A；超低...KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流190A；超低导通电阻RDS（开启）（TYP）=2.2m?@VGS=10 V，提高开关效率降低损耗；100%雪崩试验...
KPX3204B场效应管采用先进的高单元密度沟槽，漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，...KPX3204B场效应管采用先进的高单元密度沟槽，漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，极低导通电阻VGS=-10V时，RDS（ON）=3.2mΩ（典型值）；超低栅极电荷，高效率低损耗...
KIA30N03B采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压30V，漏极电流...KIA30N03B采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，超低栅极电荷RDS（开启）=15m?@VDS=30V，减小损耗；具有出色的Cdv/dt效应下降...
电机驱动mos管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流27A，RDS (on) = 280mΩ...电机驱动mos管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流27A，RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V，低栅极电荷最小化开关损耗；该器件采用先进平面工艺，高效率低损耗...
电源专用mos管KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（...电源专用mos管KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；提供无铅和绿色...
