25n06场效应管参数代换,60V 25A,KIA30N06B参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-07-18
KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，RDS（开启）=25mΩ@VDS=60V，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及100%EAS保证、绿色设备可用，稳定可靠，能够在各种应用场景下发挥稳定的作用；KIA30N06B能够代换25n06场效应管，在高频负载点同步降压变换器、联网DC-DC电源系统、负载开关中应用，封装形式：TO-251、TO-252。
漏源电压：60V
漏极电流：25A
漏源通态电阻(RDS(on))：25mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：50A
雪崩能量单脉冲：34.5MJ
总功耗：34.7W
总栅极电荷：12.56nC
输入电容：1345PF
输出电容：72.5PF
开通延迟时间：8nS
关断延迟时间：24.4nS
上升时间：14.2ns
下降时间：4.6ns
KIA30N06B是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。KIA30N06B符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。
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