KNB2806A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值...KNB2806A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；具有100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备（符合RoH...
KIA2806A场效应管替代150N06B场效应管应用在逆变器、锂电池保护板、电源管理中...KIA2806A场效应管替代150N06B场效应管应用在逆变器、锂电池保护板、电源管理中，KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V...
KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，...KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，RDS（开启）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低栅电荷、低反馈电容、开...
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（...KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（ON）=6.5m?（典型值），最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩、电...
KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电...KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电流为35A，超低栅极电荷，提供卓越的开关性能；100%EAS保证、出色的Cdv/dt效应、绿色...
KIA3506A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ ...KIA3506A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试，减小损耗，稳定可靠；KIA3506A可以代...
