hy1603,MOS管代换,KNX3406A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-07-22
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值），最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩、电流无铅和绿色设备可用，稳定可靠；在电源、DC-DC转换器中广泛应用，封装形式：DFN5*6、TO-252。
漏源电压：60V
漏极电流：80A
漏源通态电阻(RDS(on))：6.5mΩ
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：280A
雪崩能量单脉冲：225MJ
总功耗：84.5W
总栅极电荷：104nC
输入电容：6050PF
输出电容：170PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：13ns
下降时间：7.5ns
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