同步整流,逆变器MOS管,KCX3406A场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-07-23
KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，RDS（开启）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低栅电荷、低反馈电容、开关速度快、改进的dvdt功能，稳定可靠；改进的工艺和电池结构经过特别定制，以最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，广泛应用于同步整流器、逆变器系统的电源管理，封装形式：DFN5*6、TO-252。
漏源电压：60V
漏极电流：80A
漏源通态电阻(RDS(on))：8.5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：240A
雪崩能量单脉冲：81MJ
总功耗：63W
总栅极电荷：16.8nC
输入电容：1065PF
输出电容：430PF
开通延迟时间：8nS
关断延迟时间：19nS
上升时间：54ns
下降时间：8.8ns
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
