p沟道mos管-100a -40v,KPX3204B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-07-15
KPX3204B场效应管采用先进的高单元密度沟槽，漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，极低导通电阻VGS=-10V时，RDS（ON）=3.2mΩ（典型值）；超低栅极电荷，高效率低损耗，100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降、绿色设备可用，可靠稳定；封装形式：TO-252。
漏源电压：-40V
漏极电流：-100A
漏源通态电阻(RDS(on))：3.2mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-300A
雪崩能量单脉冲：361MJ
总功耗：83W
总栅极电荷：148nC
输入电容：6760PF
输出电容：650PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：70nS
上升时间：16ns
下降时间：30ns
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