在亚阈值区，当漏端电压较大时，靠近栅极的漏端处会形成一个小的耗尽区。在此区...在亚阈值区，当漏端电压较大时，靠近栅极的漏端处会形成一个小的耗尽区。在此区域内，电场作用下会产生陷阱辅助的载流子，从而引发栅诱导的漏极泄露电流。当电场足...
当输入电源大于MOS管VGS最大电压，应增加D7稳压管防止电源电压过高击穿mos管。...当输入电源大于MOS管VGS最大电压，应增加D7稳压管防止电源电压过高击穿mos管。当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管...
LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术...LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ；卓越的低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导...
确定电路中可能出现的最大电压。MOS管的VDSS应大于电路中的最大电压，一般要留...确定电路中可能出现的最大电压。MOS管的VDSS应大于电路中的最大电压，一般要留出一定的余量，通常为电路最大电压的1.5倍至 2倍，以确保在任何情况下MOS管都不会被...
MOSFET高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高...MOSFET高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压...
2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；高密度单元设计，极低的导通电...2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；高密度单元设计，极低的导通电阻RDS(开启)，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；?2306mos管具有低导通电阻、高开...
