导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就...导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就叫电阻定律(law of resistance)，公式为R=ρL/S 。其中ρ为制成电阻的材料的电阻率，...
添加反向并联二极管：在MOS管的源极和漏极之间，加入一个反向并联二极管，可以...添加反向并联二极管：在MOS管的源极和漏极之间，加入一个反向并联二极管，可以巧妙地抑制二极管反向电压。当漏极电压为负值时，这个二极管会导通，从而将漏极电压...
电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术，...电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术，具有良好的稳定性及抗冲击能力；极低导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电...
欧姆定律：R=U/I 电阻（R）等于电压（U）除以电流（I），这是电工学的基石。 ...欧姆定律：R=U/I 电阻（R）等于电压（U）除以电流（I），这是电工学的基石。 电功率公式 电流在单位时间内做的功叫做电功率。是用来表示消耗电能的快慢的物理量...
尺寸和空间占用：SOP封装比DIP封装更小，占用的空间更少，更适合现代电子设备的...尺寸和空间占用：SOP封装比DIP封装更小，占用的空间更少，更适合现代电子设备的小型化趋势。 引脚数量和排列：SOP封装可以容纳更多的引脚，并且引脚排列更紧凑，...
KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0m...KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进...
