bms专用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S场效应管参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-02-24
KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、开关速度快；确保应用系统的高效性、可靠性和安全性；2803mos管适用于逆变器、BMS、电源管理领域中，性能优越；封装形式：TO-263，散热良好。
漏源电压：30V
漏极电流：150A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：560A
雪崩能量单脉冲：552MJ
总功耗：125W
阈值电压：1.5V
输入电容：4555PF
输出电容：476PF
反向传输电容：451PF
总栅极电荷：92nC
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：90nS
上升时间：23ns
下降时间：38ns
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