绝缘层薄，承受高电压的能力差。 高输入阻抗使其对电压变化敏感。 静电放电会...绝缘层薄，承受高电压的能力差。 高输入阻抗使其对电压变化敏感。 静电放电会在短时间内施加过高的电压，导致绝缘层击穿。
反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。 反向...反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。 反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS...KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，极低导通电阻RDS(开启) 3.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；优秀的Qg...
混合集成电路是一种将不同技术制造的电子元件(如半导体器件、陶瓷器件、电阻、...混合集成电路是一种将不同技术制造的电子元件(如半导体器件、陶瓷器件、电阻、电容等)集成在同一基板上,通过金属线或焊接连接这些元件以实现功能电路。 混合集成...
当MOSFET从截止区经过放大区转到可变电阻区时，对应其开通过程（反之为关断过程...当MOSFET从截止区经过放大区转到可变电阻区时，对应其开通过程（反之为关断过程）。在放大区内，由于米勒效应，随着Vds下降，CGD电容显著增大。因此，给CGD电容充...
KNH2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，低RDS（...KNH2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，低RDS（ON）的高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低...
