IRF740参数指标

IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

新系列的低电荷PowerMOSFETIRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极动需求，从而节省了系统总体开销。此外，在大量的高频应用中，IRF740LC减少了转换损耗，效能得到强化。

TO-220封装的IRF740普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF740得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF740适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF740的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。

2、IRF740特征

动态dv/dt率

可恢复性雪崩测定

快速转换速率

并行简易

仅需简单驱动

超低栅电荷 - IRF740LC

增强VGS等级 30 V - IRF740LC

极高工作频率 - IRF740LC

无铅环保

3、产品参数

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值: 10A (at 25℃)

电压, Vgs 最大:20V

开态电阻, Rds(on): 典型值 0.48Ω

（Vgs=10V，Id=5.3A）

电压Vds 最高:400V

功耗:2.5W

功率温度:25°C

4、IRF730产品参考

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	MaxRDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RD（ON）@60%ID（Ω）
IRF630	200	9.5	300	23.3
IRF024	60	14	0.10	25
IRF634	250	8.1	0.45	41
IRF830	500	4.5	1.5	38
IRF840	500	8.0	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF530	100	14	0.16	26
IRF7413	30	13	11	44