8104mos管,30a40vmos管,KNG8104A场效应管参数资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-05-13
KNG8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：DFN3*3。
漏源电压：40V
漏极电流：-30A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：120A
单脉冲雪崩能量：25MJ
功率耗散：96W
阈值电压：1.5V
总栅极电荷：18nC
输入电容：850PF
输出电容：70PF
反向传输电容：62PF
开通延迟时间：4nS
关断延迟时间：30nS
上升时间：8ns
下降时间：10ns
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