MOS管：电压/电流承载能力弱，但耗能低，开关速度快，寿命长，12V/48V低压辅助...MOS管：电压/电流承载能力弱，但耗能低，开关速度快，寿命长，12V/48V低压辅助电池的 BMS。 继电器：开关速度慢，寿命短，但电压/电流承载能力强，适用于400V/80...
正向充电：当控制输出为高电平时，Q1的栅源电压Vgs大于阈值电压Vth，Q1导通。此...正向充电：当控制输出为高电平时，Q1的栅源电压Vgs大于阈值电压Vth，Q1导通。此时，A点电位降低，B点电压为VIN减去二极管导通电压，Q2的栅源电压Vgs小于阈值电压V...
pwm专用mos管KND3903A漏源击穿电压30V，漏极电流85A，极低导通电阻RDS(开启) 3...pwm专用mos管KND3903A漏源击穿电压30V，漏极电流85A，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；低Crrs、快速切换，高效低耗；100%经雪崩...
隔离变压器是指输入端和输出端电气上完全隔离的变压器，它的隔离是隔离电气的意...隔离变压器是指输入端和输出端电气上完全隔离的变压器，它的隔离是隔离电气的意思。原理是利用变压器的电磁感应原理，通过磁场耦合将输入端和输出端的电路隔离开来...
DFN封装是一种无引脚的封装形式，采用双边或方形扁平无铅封装，仅两侧有焊盘。...DFN封装是一种无引脚的封装形式，采用双边或方形扁平无铅封装，仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个，典型主体尺寸长度通常介于2-7mm，焊盘间距通常为0.5-0.95mm，...
充电器mos管?KNE6303A漏源击穿电压30V，漏极电流12A，先进的沟槽加工技术，超...充电器mos管?KNE6303A漏源击穿电压30V，漏极电流12A，先进的沟槽加工技术，超低导通电阻的高密度电池设计，??导通电阻RDS(开启) 8mΩ，高效低耗；改进的dv/dt能...
