MOSFET的失效很多都是由于过热导致的，那么在选件选型，电路设计及PCB布局时就...MOSFET的失效很多都是由于过热导致的，那么在选件选型，电路设计及PCB布局时就要格外注意应用情况和设计余量，确保MOSFET的Tj不会超过其最大值。
总功率损耗Ptot的定义是：在焊接衬底温度维持在25℃时，器件达到最大结点温度时...总功率损耗Ptot的定义是：在焊接衬底温度维持在25℃时，器件达到最大结点温度时所用的功率?？梢杂霉絋j=Tmb+Rth_j-mb*Ptot来表达，节点温度才是最终的MOSFET是否...
如果可以把电流始终限制在I_SET以下，可以去掉限流电阻，让电流保持略小于I_SE...如果可以把电流始终限制在I_SET以下，可以去掉限流电阻，让电流保持略小于I_SET，快速充电。如下图，电流曲线的积分为V_CL，左右两图的阴影面积大小相同，可以看出...
共源共栅级由共源级实现电压到电流的转换，然后电流信号加到共栅级的源端。因此...共源共栅级由共源级实现电压到电流的转换，然后电流信号加到共栅级的源端。因此，构成共源共栅级时共源管和共栅管类型可以不同。如图3.0.2.1，M1是输入器件：PMOS...
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压...当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的场...
左图中是直接耦合的共栅级，V b接固定电位，以电阻R D为负载。右图为小信号等效...左图中是直接耦合的共栅级，V b接固定电位，以电阻R D为负载。右图为小信号等效电路（做图水平拙劣），栅极接地，漏端输出。该图的输出电阻（V i n = 0时两压控电...
