MOSFET应用-功率损耗容易误解的三个要点-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2022-08-03
在MOSFET的数据手册中极限值表格中的总功率损耗Ptot就是一个十分有趣的参数。说它有趣是因为有些时候Ptot的数值看起来很强大，但它又不是决定MOSFET设计是否可行的决定性参数。本文就来聊一聊关于MOSFET的总功率损耗Ptot在使用过程中容易被人误解或者忽略的那些知识点。
误解1：电路中MOSFET的功率小于限值表中的Ptot，Mosfet就是安全的
上面的理解是不对的。总功率损耗Ptot的定义是：在焊接衬底温度维持在25℃时，器件达到最大结点温度时所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot来表达，节点温度才是最终的MOSFET是否过热损坏的判定参数。
在实际应用中是很难维持焊接衬底温度Tmb一直为25℃的，所以Ptot确切地说应该是来表征元件热传导性能Rth_j-mb的好坏，或是最大结点温度高低的参数。
误解2：对于一个MOSFET元件，功率损耗Ptot的值就是固定不变的
其实从结点温度与功率损耗的公式就可以看出：热阻Rth和结点温度Tj是元件的固有属性，是不变化的，随着Tmb温度的升高，功率损耗Ptot的值就会降低。
下图即为数据手册中给出的“标准化的总功率损耗和焊接衬底温度的函数关系图”，举例说明：焊接衬底温度在0℃~25℃时，Ptot=101W(和极限值表格中一致)，但是当焊接衬底Tmb的温度上升到100℃时，允许的Ptot=50.5W。
综上所述，功率损耗Ptot的值固定不变的的理解是错误的！
误解3：MOSFET的功率=流过漏极和源极的电流* 漏极和源极间的导通阻抗
MOSFET分两种使用情况：常通状态和开关状态。常通状态时的功率损耗Ptot不仅要考虑流过漏极和源极的电流所产生的功率，还要考虑用于栅极驱动流入的电流所产生的的功率。
如下图的LTspice的仿真中就明确地展示了常通状态下的计算公式。
开关状态时的功率只要再加入导通和关闭时的功率损耗即可。故上述的观点过于片面，不够严谨。
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