通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要...通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要接参考的。 通常NMOS器件衬底接地（或最低电平），相对应PMOS器件衬底接电源（或最...
1、栅极长度L是载流子必须经源到漏的距离，因此L直接关系到器件的速度，L越小，...1、栅极长度L是载流子必须经源到漏的距离，因此L直接关系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低。 2、沟道宽度W决定了器件的强度，器件越宽，并行穿过器...
以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成...以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成两个重参杂n+的区域，分别为源端（Source）和漏端（Drawn），应当注意的是，对于单个...
对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如...对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如，对于用作为放大的有源器件——双极型晶体管以及场效应晶体管而言，特征频率就是指...
当MOS管工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds <...当MOS管工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds < Vgs - Vth时近似满足V-I的线性关系，即有一个近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，...
在设计大电流电源时，MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著，...在设计大电流电源时，MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著，这样的环境中，散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU。这样，电源设计...
